Nitrogénnel adalékolt szénhabokon termesztett NiCo2S4 nanolemezek a szuperkondenzátorok fejlett elektródájaként

A szuperkondenzátorok energiasűrűségi határának kitolásához nagy szükség van az elektródaanyagok új osztályára, kedvező architektúrával.

Nitrogénnel adalékolt szénhabokon termesztett NiCo2S4 nanolemezek (1)

                       

A bináris fém-szulfidok a nagy teljesítményű energiatároló eszközök elektródaanyagaként ígéretesek, mivel nagyobb elektrokémiai aktivitást és nagyobb kapacitást kínálnak, mint a monofém-szulfidok.

 

Itt bemutatjuk a NiCo 2S 4 nano-lemezek racionális tervezését és gyártását nitrogénnel adalékolt szénhabokra (NCF) (SINOYQX karbonizált melaminhab alapján) helyezve , mint új, flexibilis elektródát szuperkondenzátorokhoz.

 

Egy egyszerű , kétlépéses módszert fejlesztettek ki NiCo 2S 4 nanoszálak növesztésére NCF - en, erős tapadás mellett, amely magában foglalja a Ni-Co prekurzor növesztését, majd szulfidációs folyamattal NiCo 2S 4 nanoszálakká alakítását.

 

Az összetételi jellemzőknek és a 3D elektróda-architektúrának köszönhetően a NiCo 2 S 4 /NCF elektróda jelentősen jobb elektrokémiai teljesítményt mutat ultramagas kapacitással (877 F g −1 20 A g −1 áramerősségnél ) és kiváló ciklizálási stabilitással.

 

Továbbá egy kötőanyagmentes aszimmetrikus szuperkondenzátor eszközt is gyártottak NiCo 2 S 4 /NCF pozitív elektródával és rendezett mezopórusos szén (OMC)/NCF negatív elektródával; ez nagy energiasűrűséget mutat (≈45.5 Wh kg −1 512 W kg −1 energiaértéknél ).

Nitrogénnel adalékolt szénhabokon termesztett NiCo2S4 nanolemezek (2)

A projekttel kapcsolatos további információkért kérjük, vegye fel a kapcsolatot a SINOYQX-szel a [email protected] e-mail címen, vagy a [email protected] e-mail címen. Laifa Shen, Jie Wang, Guiyin Xu, Hongsen Li, Hui Dou és Xiaogang Zhang az Anyagtudományi és Mérnöki Főiskola Jiangsu Energiaátalakítási Anyagok és Technológiák Laboratóriumából, Nanjing, Kína. A szuperkondenzátorok energiasűrűség-határának kitolásához nagy szükség van egy új, kedvező architektúrájú elektródaanyag-osztályra.